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Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 20A/100V/1U
Features
  • Silicon N Chanel Field Effect Transistor
  • Features
  • 4-Volts Gate Drive
  • Low Drain-Source ON Resistance-RDS(ON) = 0.068 Ohms (Typ.)
  • High Forward Transfer Admittance Yfs = 11S (Typ.)
  • Low Leakage Current IDSS = 100 uA (Max.) @ VDS = 100 V
  • Enhancement-Mode
  • VTH = 0.8 - 2.0 V @ VDS = 10V, ID = 1 mA
Aplicaciones
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