• Nicht auf Lager
irg4pc50fd
search
  • irg4pc50fd
  • irg4pc50fd

IRG4PC50FD

7,14 $
Tax included
GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST RECOVERY DIODE
Quantity
Nicht auf Lager

  Política de seguridad

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de entrega

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de devolución

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 70A/600V/1U
Features
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
  • Features
  • Fast Optimized for medium operating
  • frequencies ( 1 - 5 kHz in hard switching, >20
  • kHz in resonant mode)
  • Generation 4 IGBT design provides tighter
  • parameter distribution and higher efficiency
  • than Generation 3
  • IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast,
  • ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use
  • in bridge configurations
  • Industry standar TO-247AC package
Aplicaciones
IRG4PC50FD
Comments (0)
No customer reviews for the moment.