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IRG4PF50WDPBF

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Referencia: IRG4PF50WDPBF

Fabricante: IR

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Archivo PDF	Caracteristicas Electricas
	28A/900V/1U

Features	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supplies topologies 50% reduction of Eoff parameter Low IGBT conduction losses Lastest technology IGBT design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional reliability IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations Industry standar TO-247AC package Leads-Free
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
Optimized for use in Welding and Switch-Mode
Power Supply applications
Industry benchmark switching losses improve
efficiency of all power supplies topologies
50% reduction of Eoff parameter
Low IGBT conduction losses
Lastest technology IGBT design offers tighter
parameter distribution coupled with
exceptional reliability
IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use
in bridge configurations
Industry standar TO-247AC package
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