Bienvenido

MG200Q2YS65H

0 Review(s)

Inicio > MODULOS DE POTENCIA>MODULOS IGBT>MODULOS IGBT DE CANAL N>MG200Q2YS65H

MG200Q2YS65H

 MG200Q2YS65H Ampliar

Disponibilidad: Producto no disponible Producto bajo pedido / Product on demand

MG200Q2YS65H

Fabricante: TOSHIBA

Más
Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 200A/1200V/2U
Features
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 3.6V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
Aplicaciones
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
Producto no disponible Precio no disponible
Contáctanos

» Añadir a mis deseos

  • Remove this product from my favorites
  • Add this product to my favorites
  • Compartir en Facebook