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IR2110

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HIGH SPEED POWER MOSFET AND IGBT MODULE
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  Política de seguridad

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de entrega

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de devolución

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 2A/10V/1U
Features
  • HIGH AND LOW SIDE DRIVER
  • Features
  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Fully operational to +500V or +600v
  • Tolerant to negative
  • transient voltage, dv/dt immune
  • Gate drive supply range from 10 to 20V
  • Undervoltage lockout for both channels
  • 3.3V logic com
  • Separate logic supply range from 3.3V to 20V
  • Logic and power ground +/-5V offset
  • CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
  • Cycle by cycle edge-triggrred shutdown logic
  • Matched propagation delay for both channels
  • Outputs in phase with inputs
Aplicaciones
IR2110
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