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MG100J2YS50
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MG100J2YS50

95,20 $
N CHANNEL IGBT MODULE
Quantità
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  Política de seguridad

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de entrega

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de devolución

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 100A/600V/2U
Features
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • The electrodes are isolated from case
  • High input impedance
  • Includes a complete half bridge in
  • one package
  • Enahancement-mode
  • High speed :
  • tf=0.30us (Max.) (IC = 100A)
  • trr =0.15us (Max.) (IF = 100A)
  • low saturation voltage :
  • VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC=100A)
Aplicaciones
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG100J2YS50
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