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MG200N1US1

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  Política de seguridad

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  Política de devolución

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Archivo PDF Caracteristicas Electricas
BAJAR PDF. 200A/1000V/1U
Features
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=1.0 us (Max.) trr=0.5us(Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
Aplicaciones
  • Aplications
  • High Powewr Switching
  • Motor Control
MG200N1US1
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